杭州金达电子有限公司

供应3DJ4系列结型场效应管(N道沟)(图)

品牌/商标:国产 型号/规格:3DJ4 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:10 跨导:1 开启电压:1 夹断电压:1 低频噪声系数:1 极间电容:1 耗散功率:100

供应IRFP450场效应管

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP450 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:ALGaAS铝镓砷 漏极电流:/ 跨导:/ 开启电压:/ 夹断电压:/ 低频噪声系数:/ 极间电容:/ 耗散功率:/

供应3DJ6系列结型场效应管(N道沟)(图)

品牌/商标:国产 型号/规格:3DJ6 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:HF/高频(射频)放大 封装外形:SP/特殊外形 材料:N-FET硅N沟道 漏极电流:10 跨导:1 开启电压:1 夹断电压:1 低频噪声系数:1 极间电容:1 耗散功率:100